現在人們對網(wǎng)絡(luò )的速度要求較高，都是奔著(zhù)更快的方向發(fā)展的，要想通信速度更快，那自然少不了村田硅電容，硅電容能解決當下問(wèn)題。

村田硅電容器主要針對光通信里的超寬頻需求而設計。近年來(lái)，光通信速度每年都在變得越來(lái)越快，當通信速度達到毫米波寬帶時(shí)，超小型的貼片電容器（MLCC）中的插入損耗會(huì )增加，相比之下，硅電容器具有低插入損耗、高穩定性等優(yōu)勢，市場(chǎng)需求迅速擴大。

村田的高密度硅電容器通過(guò)應用半導體的MOS工藝實(shí)現三維化，大幅增加電容器表面積，從而提高了基板單位面積的靜電容量。適用于網(wǎng)絡(luò )相關(guān)（RF功率放大器、寬帶通信）、高可靠性用途、醫療、汽車(chē)、通信等領(lǐng)域。

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