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村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

時(shí)間:2021-05-15 14:36:55 作者:合通泰 點(diǎn)擊:

村田貼片電容的的容量,小到pF級,大到幾百u(mài)F級,大容值濾低頻,多用于電源線(xiàn)上的去耦電路,減少電路紋波;小容值濾高頻,多用于射頻端匹配電路上。

村田貼片電容的容值和絕緣阻抗I.R.及損耗因素D.F.

理想電容的絕緣阻抗無(wú)限大,但是實(shí)際上電容存在寄生參數,故實(shí)際的絕緣阻抗有限,一般在兆歐級別,具體參見(jiàn)村田對應型號的規格書(shū)。

損耗因素(損耗角正切)=有功功率/無(wú)功功率=漏電流/充電電流=1/Q(品質(zhì)因素)

D.F.=2*π*f*C*R (R為等效串聯(lián)電阻).



 
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